제품 소개금속 산화물 배리스터

지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A

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지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A

중국 지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A 협력 업체
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제품 상세 정보:

원래 장소: 중국
모델 번호: MVR0603-8R0G

결제 및 배송 조건:

최소 주문 수량: 1개의 권선
가격: Negotiable
포장 세부 사항: 권선, 권선 당 4000pcs에 있는 테이프
배달 시간: 1 주
지불 조건: T는 / T
공급 능력: 달 당 100,000,000 조각
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상세 제품 설명
배리스터 유형: 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 크기: 0603(1608)
최대 VAC: 4V VDC: 5.5V
배리스터 전압: 8V (7.0-9.9) 전형적인 용량: 260pF
전압을 죄는 최대: 15V 최대. 봉우리 전류: 30A

 

지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A

 

 

묘사


MVR 시리즈는 금속 산화물 일시적인 전압 억제를 위한 근거한 칩 배리스터입니다. 그들에는 제너다이오드와 유사한 비선형 전압 현재 행동이 있습니다. 다중층 구축한 배리스터는, 그러나, 제너다이오드 보다는 전기 신뢰성에 있는 각 곡물이 작은 p-n 접속점을 전시하기 때문에, 우월을 보여줍니다. 더하여, MVR 시리즈는 높은 죄는 전압 및 낮은 누설 현재와 같은 더 나은 전기 재산을 보여줍니다.

 

지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A

 

 

신청


* 온갖 IC에 있는 일시적인 전압 소음에서 보호
* 힘 입력/출력 항구에 있는 ESD, EFT 및 큰 파도에서 보호
* 제너다이오드의 보충

 

 

특징


* 칩 배리스터는 지상 설치에 높은 신뢰성을 제공합니다
* 일 전압의 광범위 (VW = 5.6V˜30V)
* 좋은 비율과 낮은 누설 현재를 죄기
* Ni와 땜납의 전기도금을 하는 것은 더 높은 solderability를 줍니다
* 넓은 작용 온도 (- 55˜125°C)
* 각종 용량은 유효합니다

 

 

차원 (mm)

 

지상 산 MLV MLCV SMD 1608 큰 파도 보호를 위한 미터 다중층 칩 금속 산화물 배리스터 MVR0603-8R0G 8V 30A

모형 1005(0402) 1608(0603) 2012(0805) 3216(1206) 3225(1210) 4532(1812) 5750(2220) 8050(3220)

길이

(l)

1.00±0.15 1.60±0.20 2.00±0.20 3.20±0.20 3.20±0.20 4.50±0.30 5.70±0.30 8.0±0.30
폭 (W) 0.50±0.15 0.80±0.20 1.20±0.20 1.60±0.20 2.50±0.20 3.20±0.20 5.00±0.30 5.00±0.30
높은 (H) 0.70max 0.90max 1.30max 1.60max 2.50max 3.20max 4.50max 4.50max

 

 

SMD 금속 산화물 배리스터 시리즈 전기 모수

 

부분
고장
죄기
봉우리 전류
전압
전압
전압
AC
DC
@ 1mA DC
8/20uS
8/20uS (아) IP (MAX)
VAC
VDC
VB
VC
0603
0805
1206년
1210년
1812년
2220
3220
1.4
2
3
2.4~3.6
9
20
 
 
 
 
 
 
2.4
3.3
5
4.0~6.0
12
20
60
80
 
 
 
 
4
5.5
8
7.0~10.5
14
20
60
80
250
400
 
 
7
9
12
10~14
24
20
60
80
250
400
800
 
11
14
18
15.5~21
30
20
80
100
250
400
800
500
14
18
24
22-27
38
20
80
100
250
500
1200년
500
17
22
27
24~30
42
20
80
100
250
500
1200년
500
20
26
33
29~36
54
20
80
100
250
500
1200년
500
24
30
39
35~42
65
20
80
100
250
500
1200년
500
28
36
47
42~52
77
20
80
100
250
500
1200년
500
35
45
56
50~62
90
 
80
100
250
500
1200년
500
40
56
68
60~75
110
 
 
100
250
500
1200년
500
50
65
82
73~91
135
 
 
80
200
300
800
500
60
85
100
90~110
165
 
 
80
200
300
800
500
75
100
120
108~132
200
 
 
 
200
300
500
500
95
125
150
135~165
250
 
 
 
 
300
500
500
115
150
180
162~198
300
 
 
 
 
 
500
500
130
170
205
184~226
340
 
 
 
 
 
 
500
140
180
220
198~242
360
 
 
 
 
 
 
500
150
200
240
216~264
395
 
 
 
 
 
 
500
175
225
270
243~297
455
 
 
 
 
 
 
500
230
300
360
324~396
595
 
 
 
 
 
 
500
250
320
390
351~429
650
 
 
 
 
 
 
500
275
350
430
387~473
710
 
 
 
 
 
 
400
300
385
470
423~517
775
 
 
 
 
 
 
400

 

 

배리스터 대 텔레비젼 다이오드

 

ESD 현재는 nanosecond의 10의 이하 nanosecond, 내구, 및 10KV에 그것의 진폭 도달의 오름 시간을 보냅니다. 따라서, ESD에서 보호 장치는 또한 빠른 응답 시간을 필요로 합니다.
텔레비젼 다이오드에는 응답 시간과 처리량의 점에서 LATTRON의 배리스터의 그것을 가진 유사한 성과가, 있습니다. , 그러나, 열등을 보여주는지 어느 것이 큰 파도 현재, 누설 현재에 있는,
테이블에서 보이는 것처럼 작동 directionality, 극성 및 소형화. 

 

  LATTRON® 배리스터 텔레비젼 다이오드
응답 시간 < 1ns=""> > 1ns
기능을 취급하는 ESD > 8kV를의 10 주기 접촉하십시오
누설 현재 모든 spec.에 있는 낮은것. 최고의 경우에는
낮은 전압 spec.
낮은 큰 파도 현재 특히 안으로
기능 취급
모든 spec.에 있는 최고. 고전압 spec.
운영하는 임시 직원. 특성은 입니다 
80°C에 악화하는

특성은 입니다

25°C에서 악화하는

크기 Min. 0603 mm Min. 1608 mm

 

연락처 세부 사항
Aolittel Technology Co.,Ltd

담당자: eric.lye

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)

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